На базе "сложного композита". - Версия для печати +- Audio Perfection Forum (https://www.audio-perfection.com/forum) +-- Форум Аналоговая Схемотехника (https://www.audio-perfection.com/forum/forumdisplay.php?fid=3) +--- Форум Усилители для наушников (https://www.audio-perfection.com/forum/forumdisplay.php?fid=14) +--- Темы: На базе "сложного композита". (/showthread.php?tid=280) |
RE: На базе "сложного композита". - БендеровецЪ - 10-24-2019 Юрий_Uri Написал:Ну почему же, качественно всё безупречно - ВЧ продукты нелинейности создают интермоды, в том числе попадающие и в звуковой диапазон, что не так? Читаем БендеровецЪ Написал:Вход "должен" переваривать оставаясь достаточно линейным, без существенной интермодуляции, нормальный, типичный сигнал, который будет на него подаватся. Включая все вариации остальных параметров (нагрузка, питание, помехи, в т.ч. с выхода, температура и т.д.). Понятно что с некоторым запасом И да, недегенирированный ДК может вполне себе справлятся с задачей. Чаще чем кажется. RE: На базе "сложного композита". - Юрий_Uri - 10-24-2019 ОК, теперь про компенсацию 1210 :) Спасибо заранее! RE: На базе "сложного композита". - БендеровецЪ - 10-24-2019 А что там с 1210? Вроде ничего необычного. RE: На базе "сложного композита". - Юрий_Uri - 10-24-2019 Q15/Q16 Q11/Q14 - включены параллельно, повторители. Что он делает, этот COMP кондер? Замыкает эти повторители? Выключает их на ВЧ? Т.е. выход УН напрямую на выход LT-ш-ки? PS В1/В2 скорректированы? Это высокоомные точки, вроде. RE: На базе "сложного композита". - БендеровецЪ - 10-24-2019 Подгружает выход УНа через Cc Rc RE: На базе "сложного композита". - Юрий_Uri - 10-24-2019 БендеровецЪ Написал:Подгружает выход УНа через Cc RcЯ бы понял, если бы COMP на землю был пикушкой притянут, но выход-то двигается вместе с точкой А. Или смысл в том, что Q11/14 на ВЧ не работает? Или эту дополнительную емкость нужно поделить на усиление по току Q10/11/13/14? И как себя чувствует ВК с емкостной нагрузкой (это же для емкостной нагрузки придумано) - тоже непонятно. В общем, одни вопросы. RE: На базе "сложного композита". - nazar - 10-24-2019 Rc, Cc - местная ос для обеспечения устойчивости на небольшую емкостную нагрузку и обхода ВК на вч. Они включены от высокоомной точки на выход устройства, если на выходе будет емкость на землю то сооветственно уедет и интернал коррекция для обеспечение большего запаса по фазе. RE: На базе "сложного композита". - Юрий_Uri - 10-24-2019 Вот, теперь более-менее ясно. Короче, очень грубо смысл в искусственном деградировании частотных свойств ВК, так? Rc - чтобы дополнительный выброс фазы добавить (для большего запаса)? Получается, что Q11/14 на ВЧ выключаются, Q15/16 обходятся на ВЧ за счет 50 Ом, этот же резистор 50 Ом образует полюс совместно с емкостной нагрузкой, а Rc образует ноль на выходе УН, итого имеем устойчивость. Остается вопрос почему Q11/14 не генерят на емкость. Или генерят, но так высоко, что на это забили :))). Шутка. Можно по этой схеме дать ответ? _______________ Тогда не понятно, как оно работает со свободным COMP. Получается ПОС нивелирует Сс, как оно тогда компенсируется, паразитами? Чего-то там не хватает, или лыжи у меня не смазаны :) RE: На базе "сложного композита". - begemot - 10-24-2019 или лыжи... С какой стати там что то работает на ёмкость? Поскольку сигнал на внешнюю ёмкость подаётся с повторителей с обоих концов, напряжение на ёмкости практически отсутствует до тех пор пока частота не начинает приближаться к граничной частоте транзисторов, когда Кус повторителя начнёт снижаться. Т.е до этого ёмкость практически не работает, её как-бы нет. А близко к граничной частоте ёмкость вместе с 50 омным резистором начнут создавать путь прохождения сигнала в обход ВК. Т.е. немного изменят запас по фазе на ВЧ RE: На базе "сложного композита". - Юрий_Uri - 10-24-2019 ОК, видимо, я как-то криво выражаюсь, как всегда. Сс создает основной полюс компенсации в точке А на какой-то частоте. На ВЧ С1 замыкает точку D на землю, в ней образуется полюс (50 Ом/СL+C1), а в точке А ноль за счет Rc. Как выходной повторитель дружит с емкостью СL? Показал стрелочкой. Как происходит компенсация, когда С1 отключен? Сс опирается на точку D - будет ПОС на выход УН, Сс "исчезает". ПС Завязывать компенсацию на Ft транзисторов не очень хорошая идея, ИМХО. RE: На базе "сложного композита". - mellowman - 10-24-2019 БендеровецЪ Написал:Вход "должен" переваривать оставаясь достаточно линейным, без существенной интермодуляции, нормальный, типичный сигнал, который будет на него подаватся. Включая все вариации остальных параметров (нагрузка, питание, помехи, в т.ч. с выхода, температура и т.д.). Понятно что с некоторым запасом. Остальное все - словесный онанизмЪ.Тут согласен, я в общем и хочу померять величину сигнала которая там может появиться в наихудшем случае, с учётом АЧХ каскадов и выходных помех возникающих при входе 20..20k. RE: На базе "сложного композита". - БендеровецЪ - 10-24-2019 Юрий_Uri Написал:Завязывать компенсацию на Ft транзисторов не очень хорошая идея, ИМХО. Ну а если хорошо подумать... Т.к. это IC, ft всех транзисторов схемы будет плавать приблизительно похожим образом, соотв такая компенсация будет более "стабильна" от кристала к кристалу. И даже без этого, что тако R и что такое С в мелкосхемах? R это либо эмитерная либо базовая либо коллекторная область, в зависимости от необходимого сопротивления на квадрат. С - либо емкость перехода либо емкость лигированной области на метал. Чем определяется ft? - сопротивлением базы и емкостью коллекторного перехода. Что как-бэ намекает. RE: На базе "сложного композита". - БендеровецЪ - 10-24-2019 mellowman Написал:Тут согласен, я в общем и хочу померять величину сигнала которая там может появиться в наихудшем случае, с учётом АЧХ каскадов и выходных помех возникающих при входе 20..20k. Если таки интересно что делает 1210 - собрать простейший макет на ней и посмотреть сколько там чего в действительности, а потом нарисовать модельку и подогнать что-бы было более-менее похоже. RE: На базе "сложного композита". - Юрий_Uri - 10-25-2019 БендеровецЪ Написал:Т.к. это ICДа, такой ответ и ждал. Я не знаю в подробностях как образуются элементы в ИС, поэтому и сомневаюсь. И все-таки, если хорошо подумать, то я бы так не делал. Я мыслю "дискретно", спорить не буду, вполне допускаю, что это обычная практика. ПС Я уж понял, что смысла что-то выяснять тут нет. Разработчики думали на уровне физической модели, а я тут со своей "аппроксимацией" :) RE: На базе "сложного композита". - mellowman - 10-25-2019 БендеровецЪ Написал:Если таки интересно что делает 1210 - собрать простейший макет на ней и посмотреть сколько там чего в действительности, а потом нарисовать модельку и подогнать что-бы было более-менее похоже.Вдуть 10В, грузануть на 8 ом, и вырезать основной тон? Или усилить разницу. Можно попробовать Больше интересно не именно 1210, а дискретный АБ ВК, но если измерительный стенд будет то им же можно и всё мерить RE: На базе "сложного композита". - БендеровецЪ - 10-25-2019 Вычесть проще на мой взгляд. RE: На базе "сложного композита". - Юрий_Uri - 10-25-2019 mellowman Написал:Вдуть 10В, грузануть на 8 омМожет, лучше вдуть на выход нужное кол-во тока? Проще будет селектировать. RE: На базе "сложного композита". - nazar - 10-31-2019 Не надо ждать завтра, усложни себе жизнь сегодня! RE: На базе "сложного композита". - БендеровецЪ - 10-31-2019 Хороший девиз :) RE: На базе "сложного композита". - Юрий_Uri - 10-31-2019 БендеровецЪ Написал:Хороший девиз :)В шапку темы его! |