10-28-2023, 02:27 PM
(Сообщение последний раз редактировалось: 10-28-2023, 02:31 PM konstantin72.)
Это выходной - каскад усилитель тока со 100% ООС по напряжению. Разработан для безООС-ного усилителя напряжения и может быть выходным буфером гибридного лампового усилителя.
Идея данной топологии - сделать квадратный "летающий" дифкаскад.
Самая простая реализация идеи - AMPK3. Здесь главное что-бы квадратный перевёрнутый дифкаскад был собран на MOS-Fet-ах с в 2 раза большим Ugs чем в выходной ступени (я ставил Тошибовские пары 2SK1530/2SJ201).
В железе реализовал версию AMPK2. Q19...Q22 это токовые CRD-диоды E102, их почему-то нет в библиотеках ни одного симулятора, впрочем и в магазинах тоже...
Тумблер S1 - это отключение нативного режима кабелечистки за счёт включения шунта R31 в цепь ООС через отдельный провод от горячей клеммы терминала АС. Q9...Q12 это импульсная защита с датчиком КЗ на D1-D2.
Для термостабилизации тока покоя я не использовал источник опорного напряжения смещения, а использовал закон Ома в виде R18-R19, а ООС по температуре снимается прямо с корпусов выходных транзисторов через Q7-Q8, они в sot23 корпусах с металлизированным переходом коллектора на медный полигон слоя контактирующего непосредственно с корпусами выходных MOSFet-ов
Идея данной топологии - сделать квадратный "летающий" дифкаскад.
Самая простая реализация идеи - AMPK3. Здесь главное что-бы квадратный перевёрнутый дифкаскад был собран на MOS-Fet-ах с в 2 раза большим Ugs чем в выходной ступени (я ставил Тошибовские пары 2SK1530/2SJ201).
В железе реализовал версию AMPK2. Q19...Q22 это токовые CRD-диоды E102, их почему-то нет в библиотеках ни одного симулятора, впрочем и в магазинах тоже...
Тумблер S1 - это отключение нативного режима кабелечистки за счёт включения шунта R31 в цепь ООС через отдельный провод от горячей клеммы терминала АС. Q9...Q12 это импульсная защита с датчиком КЗ на D1-D2.
Для термостабилизации тока покоя я не использовал источник опорного напряжения смещения, а использовал закон Ома в виде R18-R19, а ООС по температуре снимается прямо с корпусов выходных транзисторов через Q7-Q8, они в sot23 корпусах с металлизированным переходом коллектора на медный полигон слоя контактирующего непосредственно с корпусами выходных MOSFet-ов