Не в десятки, а раз в 8-10. Там от десяти останется 1-1.5мкФ.
http://www.samsungsem.com/global/front/d...A8NRNL.pdf
Ничего страшного для данного применения. Они же шунтируют электролиты. Ну и кроме того, там где это нужно по любому будет уже индуктивный участок импеданса. Просто у мелкого кузова он будет мельче.
Не, ну можно конечно пооптимизировать и с потерями поиграться с целью получения минимального и более ровного импеданса и оптимального демпфирования получающихся паразитных резонансов. Но здесь это не принципиально
Кстати, никто не встречал данных о величине эмиттерных резисторов у 49600?
У BUF634 они были по 10 Ом.
В принципе, если есть макетка с 49600-это несложно померить.
http://www.samsungsem.com/global/front/d...A8NRNL.pdf
Ничего страшного для данного применения. Они же шунтируют электролиты. Ну и кроме того, там где это нужно по любому будет уже индуктивный участок импеданса. Просто у мелкого кузова он будет мельче.
Не, ну можно конечно пооптимизировать и с потерями поиграться с целью получения минимального и более ровного импеданса и оптимального демпфирования получающихся паразитных резонансов. Но здесь это не принципиально
dmytro19841 Написал:49600 может выдать 250 мАНа самом деле в пике почти в 2 раза больше. Там защита порядка 500мА.
Кстати, никто не встречал данных о величине эмиттерных резисторов у 49600?
У BUF634 они были по 10 Ом.
В принципе, если есть макетка с 49600-это несложно померить.
Nobody Is Perfect
